首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > STD5NB20

STD5NB20

厂家：: STMicroelectronics
封装：: TO-252
数量：: 3969
说明：: MOSFET USE 511-STD5N20

一、本商品被浏览0次.

STD5NB20 PDF参数资料

中文参数如下：

工厂包装数量：75
上升时间：13 ns
功率耗散：45 W
最小工作温度：- 65 C
下降时间：8 ns
封装形式：TO-252
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.8 Ohms
漏极连续电流：5 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：200 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：STMicroelectronics

以上是STD5NB20的详细信息，包括STD5NB20厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：