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中文参数如下：
功率耗散：70 W
栅极电荷 Qg：14 nC
包装形式：Reel
封装形式：TO-252
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.95 Ohms
漏极连续电流：3.8 A
闸/源击穿电压：3 V
汲极/源极击穿电压：525 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：STMicroelectronics
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