中文参数如下:
典型关闭延迟时间:60 ns
工厂包装数量:2500
上升时间:280 ns
功率耗散:45 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:240 ns
包装形式:Tray
封装形式:DPAK
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.0145 Ohms
漏极连续电流:38 A
闸/源击穿电压:+/- 16 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:否
产品种类:MOSFET
制造商:STMicroelectronics
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