首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > STD30N10F7

STD30N10F7

厂家：: STMicroelectronics
封装：: DPAK
数量：: 3087
说明：: MOSFET N-CH 100V 32A DPAK

一、本商品被浏览0次.

STD30N10F7 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：50W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1270 pF @ 50 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：19 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：24 毫欧 @ 16A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：32A（Tc）
漏源电压（Vdss）：100 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：停产
包装：DeepGATE?, STripFET? VII
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：STMicroelectronics

以上是STD30N10F7的详细信息，包括STD30N10F7厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：