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STD2LN60K3

厂家：: STMicroelectronics
封装：: DPAK
数量：: 8226
说明：: MOSFET N-Ch 600V 4ohm 2A SuperMESH3 FET

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：23.5 ns
上升时间：8.5 ns
功率耗散：45 W
栅极电荷 Qg：12 nC
下降时间：21 ns
包装形式：Reel
封装形式：DPAK
安装风格：SMD/SMT
电阻汲极/源极 RDS（导通）：4.5 Ohms
漏极连续电流：2 A
闸/源击穿电压：30 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：STMicroelectronics

以上是STD2LN60K3的详细信息，包括STD2LN60K3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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