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STD1NB60T4

厂家：
  STMicroelectronics
封装：
 DPAK
数量：
 2862  
说明：
 MOSFET N-CH 600V 1A
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STD1NB60T4 PDF参数资料

中文参数如下：

工厂包装数量：2500
上升时间：15 ns
功率耗散：45 W
最小工作温度：- 65 C
下降时间：32 ns
包装形式：Reel
封装形式：DPAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：8.5 Ohms
漏极连续电流：1 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：STMicroelectronics

以上是STD1NB60T4的详细信息，包括STD1NB60T4厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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