STD1NB60T4

厂家:
  STMicroelectronics
封装:
 DPAK
数量:
 2862  
说明:
 MOSFET N-CH 600V 1A
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STD1NB60T4 PDF参数资料

中文参数如下:

工厂包装数量:2500
上升时间:15 ns
功率耗散:45 W
最小工作温度:- 65 C
下降时间:32 ns
包装形式:Reel
封装形式:DPAK
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):8.5 Ohms
漏极连续电流:1 A
闸/源击穿电压:+/- 30 V
汲极/源极击穿电压:600 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:否
制造商:STMicroelectronics

以上是STD1NB60T4的详细信息,包括STD1NB60T4厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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