STD19NE06LT4

厂家:
  STMicroelectronics
封装:
 TO-252
数量:
 5805  
说明:
 MOSFET
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STD19NE06LT4-TO-252图片

STD19NE06LT4 PDF参数资料

中文参数如下:

典型关闭延迟时间:50 ns
工厂包装数量:2500
上升时间:105 ns
功率耗散:70 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:20 ns
包装形式:Reel
封装形式:TO-252
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.05 Ohms
漏极连续电流:19 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:60 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:STMicroelectronics

以上是STD19NE06LT4的详细信息,包括STD19NE06LT4厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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