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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:33 ns
上升时间:10 ns
功率耗散:70 W
栅极电荷 Qg:19 nC
下降时间:10 ns
包装形式:Reel
封装形式:DPAK
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):470 mOhms
漏极连续电流:8.5 A
汲极/源极击穿电压:500 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:STMicroelectronics
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