STD120N4LF6

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中文参数如下：

功率耗散：110 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：80 nC
包装形式：Reel
封装形式：DPAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：3.6 mOhms
漏极连续电流：80 A
汲极/源极击穿电压：40 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

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