SSP1N60B

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-220
数量：: 1980
说明：: MOSFET N-Ch/600V/1a/12Ohm

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SSP1N60B PDF参数资料

中文参数如下：

零件号别名：SSP1N60B_NL
典型关闭延迟时间：25 ns
工厂包装数量：50
上升时间：45 ns
功率耗散：34 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：0.97 S
下降时间：35 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：12 Ohms
漏极连续电流：1 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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