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中文参数如下:
功率耗散:0.1 W
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :0.025 S
包装形式:Reel
封装形式:DP-3
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):4 Ohms
漏极连续电流:0.1 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Toshiba
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