SSD2011ATF

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 SOIC-8 Narrow
数量:
 6561  
说明:
 MOSFET P-Ch/60V/2a/ 0.28Ohm@VGS=10V
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SSD2011ATF-SOIC-8 Narrow图片

SSD2011ATF PDF参数资料

中文参数如下:

典型关闭延迟时间:37 ns
工厂包装数量:3000
上升时间:16 ns
功率耗散:2 W
最小工作温度:- 55 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :5 S
下降时间:17 ns
包装形式:Reel
封装形式:SOIC-8 Narrow
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Dual Source Dual Gate
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.28 Ohms
漏极连续电流:- 2 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:- 60 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是SSD2011ATF的详细信息,包括SSD2011ATF厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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