SQJ443EP-T1_GE3

厂家：: Vishay Siliconix
封装：: PowerPAK? SO-8
数量：: 4005
说明：: MOSFET P-CH 40V 40A PPAK SO-8

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SQJ443EP-T1_GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：
：-55°C ~ 175°C（TA）
功率耗散（最大值）：83W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2030 pF @ 20 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：57 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：29 毫欧 @ 18A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：40A（Tc）
漏源电压（Vdss）：40 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：P 通道
产品状态：在售
包装：Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）
品牌：Vishay Siliconix

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