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中文参数如下:
零件号别名:SQJ412EP-GE3
功率耗散:83 W
包装形式:Reel
封装形式:PowerPAK SO-8L
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.0045 Ohms
漏极连续电流:32 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay
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