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SQD40N10-25-GE3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 TO-252
数量：
 2205  
说明：
 MOSFET 100V 40A 136W 25mohm @ 10V
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SQD40N10-25-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：2000
功率耗散：136 W
包装形式：Reel
封装形式：TO-252
安装风格：Through Hole
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.025 Ohms
漏极连续电流：40 A
闸/源击穿电压：2.5 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SQD40N10-25-GE3的详细信息，包括SQD40N10-25-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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