SQ9945BEY-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: SO-8
数量：: 5202
说明：: MOSFET 60V 5.4A 4W N-Ch Automotive

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SQ9945BEY-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SQ9945BEY-GE3
典型关闭延迟时间：17 nS
上升时间：2.8 nS
功率耗散：4 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：8 nC
下降时间：1.7 nS
包装形式：Reel
封装形式：SO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.064 Ohms at 10 V
漏极连续电流：5.4 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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