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SQ4920EY-T1-GE3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 SO-8
数量：
 5121  
说明：
 MOSFET 30V 8A 4.4W
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SQ4920EY-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SQ4920EY-GE3
典型关闭延迟时间：25 ns
上升时间：10 ns
功率耗散：4.4 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：19.7 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：43 S
下降时间：8 ns
包装形式：Reel
封装形式：SO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0145 Ohms
漏极连续电流：7.2 A
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SQ4920EY-T1-GE3的详细信息，包括SQ4920EY-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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