SQ4920EY-T1-GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 SO-8
数量:
 5121  
说明:
 MOSFET 30V 8A 4.4W
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SQ4920EY-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:SQ4920EY-GE3
典型关闭延迟时间:25 ns
上升时间:10 ns
功率耗散:4.4 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:19.7 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :43 S
下降时间:8 ns
包装形式:Reel
封装形式:SO-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.0145 Ohms
漏极连续电流:7.2 A
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SQ4920EY-T1-GE3的详细信息,包括SQ4920EY-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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