SPP80P06PBKSA1

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-TO220-3
数量：: 1503
说明：: MOSFET P-CH 60V 80A TO220-3

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中文参数如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：340W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：5033 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：173 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 5.5mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：23 毫欧 @ 64A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：80A（Tc）
漏源电压（Vdss）：60 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：P 通道
产品状态：停产
包装：SIPMOS?
系列：管件
品牌：Infineon Technologies

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