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SPD04N50C3T

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 -
数量：
 3393  
说明：
 MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK
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SPD04N50C3T--图片

SPD04N50C3T PDF参数资料

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中文参数如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：950 毫欧 @ 2.8A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：560V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：4.5A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：3.9V @ 200µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：22nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：470pF @ 25V
功率 - 最大：50W
安装类型：表面贴装

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