首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > SPB35N10T

SPB35N10T

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 PG-TO263-3-2
数量：
 2655  
说明：
 MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
暂无电子元件图

SPB35N10T PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：44 毫欧 @ 26.4A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：35A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 83µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：65nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：1570pF @ 25V
功率 - 最大：150W
安装类型：表面贴装

以上是SPB35N10T的详细信息，包括SPB35N10T厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • IPB100N04S303ATMA1
  • SQJ138ELP-T1_GE3
  • SI7157DP-T1-GE3
  • NVMFS5C456NT1G
  • SPW15N60CFDFKSA1
  • RJK0853DPB-00#J5
  • NP45N06PUK-E1-AY
  • SIR184LDP-T1-RE3
  • RD3L150SNFRATL
  • NVTFS5C454NLWFTAG

    • 相近型号推荐

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC