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SPB18P06P G

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 TO-263
数量：
 3560  
说明：
 MOSFET P-CH 60V 18.6A
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SPB18P06P G PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SP000102181 SPB18P06PGATMA1 SPB18P06PGXT
典型关闭延迟时间：24.5 ns
工厂包装数量：1
上升时间：5.8 ns
功率耗散：80 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：11 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-263
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.13 Ohms
漏极连续电流：18.6 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：- 60 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

以上是SPB18P06P G的详细信息，包括SPB18P06P G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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