SPB02N60C3

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TO-263
数量：: 2723
说明：: MOSFET COOL MOS N-CH 650V 1.8A

一、本商品被浏览0次.

SPB02N60C3 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：SP000013516 SPB02N60C3ATMA1 SPB02N60C3XT
典型关闭延迟时间：68 ns
工厂包装数量：1000
上升时间：3 ns
功率耗散：25 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：12 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-263
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：3 Ohms
漏极连续电流：1.8 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

以上是SPB02N60C3的详细信息，包括SPB02N60C3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：