SPA03N60C3XKSA1

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-TO220-3-31
数量：: 1890
说明：: MOSFET N-CH 650V 3.2A TO220-FP

一、本商品被浏览0次.

SPA03N60C3XKSA1 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：29.7W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：400 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：17 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 135μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.4 欧姆 @ 2A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.2A（Tc）
漏源电压（Vdss）：650 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：停产
包装：CoolMOS?
系列：管件
品牌：Infineon Technologies

以上是SPA03N60C3XKSA1的详细信息，包括SPA03N60C3XKSA1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：