SMMB911DK-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: PowerPAK? SC-75-6L 双
数量：: 8811
说明：: MOSFET DUAL P-CH D-S 20V SC75-6L

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SMMB911DK-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：
FET 型：2 个 P 沟道（双）
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：295 毫欧 @ 1.5A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss)：20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2.6A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：4nC @ 8V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：115pF @ 10V
功率 - 最大：3.1W
安装类型：表面贴装

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