SIA406DJ-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: PowerPAK? SC-70-6
数量：: 1386
说明：: MOSFET 12V 4.5A 19W 19.8mohm @ 4.5V

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SIA406DJ-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SIA406DJ-GE3
功率耗散：19 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：SC-70-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：19.8 mOhms
漏极连续电流：4.5 A
闸/源击穿电压：+/- 8 V
汲极/源极击穿电压：12 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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