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SI9933CDY-T1-E3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 8-SOIC
数量：
 18420  
说明：
 MOSFET 20V 4.0A 3.1W 58mohm @ 4.5V
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SI9933CDY-T1-E3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI9933CDY-E3
典型关闭延迟时间：29 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：50 ns
功率耗散：2 W
最小工作温度：- 50 C
下降时间：13 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：58 mOhms
漏极连续电流：4 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI9933CDY-T1-E3的详细信息，包括SI9933CDY-T1-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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