SI9912DY-T1-E3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 8-SOIC
数量:
 7542  
说明:
  功率驱动器IC Dual MOSFET Driver
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SI9912DY-T1-E3 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:SI9912DY-E3
工厂包装数量:2500
输出电流:1 A
工作电源电压:5 V
输出端数量:2
激励器数量:2
最小工作温度:- 40 C
配置:Inverting, Non-Inverting
包装形式:Reel
封装形式:SO-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 85 C
最大功率耗散:830 mW
电源电流:1 mA
电源电压-最小:4.5 V
电源电压-最大:5.5 V
下降时间:25 ns
上升时间:25 ns
类型:Inverting, Non-Inverting
产品:MOSFET Gate Drivers
RoHS:是
产品种类: 功率驱动器IC
制造商:Vishay

以上是SI9912DY-T1-E3的详细信息,包括SI9912DY-T1-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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