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中文参数如下：
典型关闭延迟时间：70 ns, 100 ns
工厂包装数量：100
上升时间：70 ns, 40 ns
功率耗散：2 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：30 ns, 60 ns
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.03 Ohms
漏极连续电流：+/- 6 A, +/- 5 A
闸/源击穿电压：+/- 8 V
汲极/源极击穿电压：20 V, 12 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：否
制造商：Vishay
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