SI8900EDB-T2-E1

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 10-Micro Foot? CSP（2x5）
数量：: 1143
说明：: MOSFET 20V 7.0A 1.8W Bi-Directional

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SI8900EDB-T2-E1-10-Micro Foot? CSP（2x5）图片

SI8900EDB-T2-E1 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：55000 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：4500 ns
功率耗散：1 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：4500 ns
包装形式：Reel
封装形式：Micro Foot-10
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：24 mOhms
漏极连续电流：5.4 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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