SI8497DB-T2-E1

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 6-microfoot
数量：: 4806
说明：: MOSFET -30V 53mOhm@4.5V 13A P-Ch G-III

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：75 ns
上升时间：10 ns
功率耗散：13 W
栅极电荷 Qg：32.6 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：10 S
下降时间：22 ns
包装形式：Reel
封装形式：MICRO FOOT 1.5 x 1
安装风格：SMD/SMT
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：53 mOhms at 4.5 V
漏极连续电流：13 A
闸/源击穿电压：12 V
汲极/源极击穿电压：- 30 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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