SI8447DB-T2-E1

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 6-Micro Foot?（1.5x1）
数量：: 726
说明：: MOSFET 20V 11A 13W 75mohm @ 4.5V

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SI8447DB-T2-E1 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：35 ns, 30 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：25 ns, 10 ns
功率耗散：2.77 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：12 ns, 15 ns
包装形式：Reel
封装形式：Micro Foot-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.075 Ohms
漏极连续电流：5.1 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：- 20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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