SI8445DB-T2-E1

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 4-XFBGA，CSPBGA
数量：: 702
说明：: MOSFET 20V 9.8A 11.4W

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SI8445DB-T2-E1 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：37 ns
工厂包装数量：3000
功率耗散：11.4 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：6.5 S
包装形式：Reel
封装形式：Micro Foot-4
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.165 Ohms
漏极连续电流：- 9.8 A
闸/源击穿电压：+/- 5 V
汲极/源极击穿电压：- 20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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