SI8435DB-T1-E1

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 4-Microfoot
数量：: 693
说明：: MOSFET 20V 10A 6.25W 41mohm @ 4.5V

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SI8435DB-T1-E1 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI8435DB-E1
典型关闭延迟时间：230 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：29 ns
功率耗散：2.78 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：91 ns
包装形式：Reel
封装形式：Micro Foot-4
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.041 Ohms
漏极连续电流：6.72 A
闸/源击穿电压：+/- 5 V
汲极/源极击穿电压：- 20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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