SI8422DB-T1-E1

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：
数量：: 1638
说明：: MOSFET 20V 7.3A 2.77W

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SI8422DB-T1-E1 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI8422DB-E1
典型关闭延迟时间：145 ns
上升时间：45 ns
功率耗散：2.77 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：12 S
下降时间：75 ns
包装形式：Reel
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.035 Ohms
漏极连续电流：7.3 A
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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