SI7478DP-T1-E3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: PowerPAK? SO-8
数量：: 12174
说明：: MOSFET 60V 20A 5.4W 7.5mohm @ 10V

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SI7478DP-T1-E3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI7478DP-E3
典型关闭延迟时间：115 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：20 ns
功率耗散：1.9 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：20 ns
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK SO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：7.5 mOhms
漏极连续电流：15 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI7478DP-T1-E3的详细信息，包括SI7478DP-T1-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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