SI7456CDP-T1-GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 PowerPAK? SO-8
数量:
 7668  
说明:
 MOSFET N-CH 100V 8-SOIC
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SI7456CDP-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下:

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:23.5 毫欧 @ 10A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:27.5A
Id 时的 Vgs(th)(最大):2.8V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:23nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :730pF @ 50V
功率 - 最大:35.7W
安装类型:表面贴装

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