首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > SI7456CDP-T1-GE3

SI7456CDP-T1-GE3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 PowerPAK? SO-8
数量：
 7668  
说明：
 MOSFET N-CH 100V 8-SOIC
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
暂无电子元件图

SI7456CDP-T1-GE3 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：23.5 毫欧 @ 10A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：27.5A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.8V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：23nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：730pF @ 50V
功率 - 最大：35.7W
安装类型：表面贴装

以上是SI7456CDP-T1-GE3的详细信息，包括SI7456CDP-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • SQJ431AEP-T1_GE3
  • STD4N80K5
  • SIR873DP-T1-GE3
  • DMN6010SCTBQ-13
  • DMNH6010SCTBQ-13
  • IPI80N06S208AKSA2
  • STL22N60DM6
  • RJK0856DPB-00#J5
  • NVB260N65S3
  • NTMYS2D9N04CLTWG

    • 相近型号推荐

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC