SI7342DP-T1-GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 PowerPAK? SO-8
数量:
 8172  
说明:
 MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
SI7342DP-T1-GE3-PowerPAK? SO-8图片

SI7342DP-T1-GE3 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:8.25 毫欧 @ 15A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:9A
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.8V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:19nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :1900pF @ 15V
功率 - 最大:1.8W
安装类型:表面贴装

以上是SI7342DP-T1-GE3的详细信息,包括SI7342DP-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC