首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > SI7288DP-T1-GE3

SI7288DP-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: PowerPAK? SO-8 双
数量：: 146063
说明：: MOSFET 40V 20A DUAL N-CH MOSFET

一、本商品被浏览0次.

SI7288DP-T1-GE3 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：SI7288DP-GE3
功率耗散：15.6 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：10 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：39 S
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK SO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0156 Ohms
漏极连续电流：20 A
汲极/源极击穿电压：40 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

以上是SI7288DP-T1-GE3的详细信息，包括SI7288DP-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：