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SI6926DQ-T1

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 TSSOP-8
数量：
 72  
说明：
 MOSFET 20V 4A 1W
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SI6926DQ-T1 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：60 ns
工厂包装数量：3000
功率耗散：1 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：TSSOP-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Dual Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.035 Ohms
漏极连续电流：+/- 4 A
闸/源击穿电压：+/- 8 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Vishay

以上是SI6926DQ-T1的详细信息，包括SI6926DQ-T1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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