SI5402DC-T2

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 1206-8 ChipFET
数量：: 8100
说明：: MOSFET 30V 6.7A 2.5W 35mohm @ 10V

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：25 ns
商标名：TrenchFET
上升时间：10 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：10 ns
包装形式：Tube
封装形式：1206-8 ChipFET
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：35 mOhms
漏极连续电流：6.7 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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