首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > SI4972DY-T1-E3

SI4972DY-T1-E3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 8-SOIC
数量：: 4302
说明：: MOSFET DUAL N-CH 30V(D-S)

一、本商品被浏览0次.

SI4972DY-T1-E3 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：SI4972DY-E3
典型关闭延迟时间：30 ns, 22 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：150 ns, 130 ns
功率耗散：2 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：13 ns, 26 ns
包装形式：Reel
封装形式：SO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：14.5 mOhms, 26 mOhms
漏极连续电流：8.7 A, 6.4 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI4972DY-T1-E3的详细信息，包括SI4972DY-T1-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：