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SI4924DY

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 SOIC-8 Narrow
数量：
 6417  
说明：
 MOSFET 30V 4.7/9A
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SI4924DY PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：26 ns at Channel 1, 58 ns at Channel 2
工厂包装数量：100
上升时间：5 ns at Channel 1, 11 ns at Channel 2
功率耗散：1 W, 1.25 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：5 ns at Channel 1, 11 ns at Channel 2
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：22 mOhms, 10.5 mOhms
漏极连续电流：5.3 A, 8.6 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Vishay

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