SI4924DY

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 SOIC-8 Narrow
数量:
 6417  
说明:
 MOSFET 30V 4.7/9A
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SI4924DY PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:26 ns at Channel 1, 58 ns at Channel 2
工厂包装数量:100
上升时间:5 ns at Channel 1, 11 ns at Channel 2
功率耗散:1 W, 1.25 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:5 ns at Channel 1, 11 ns at Channel 2
封装形式:SOIC-8 Narrow
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):22 mOhms, 10.5 mOhms
漏极连续电流:5.3 A, 8.6 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:否
制造商:Vishay

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