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SI4890DY

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 SOIC-8 Narrow
数量：
 8253  
说明：
 MOSFET 30V 11A 2.5W
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SI4890DY PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：35 ns
工厂包装数量：100
上升时间：8.5 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：17 ns
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：12 mOhms
漏极连续电流：11 A
闸/源击穿电压：+/- 25 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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