SI4886DY-T1-E3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
数量:
 981  
说明:
 MOSFET 30V 13A 2.95W
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
SI4886DY-T1-E3-8-SOIC(0.154

SI4886DY-T1-E3 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

零件号别名:SI4886DY-E3
典型关闭延迟时间:42 ns
工厂包装数量:2500
上升时间:5 ns
功率耗散:2.95 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:5 ns
包装形式:Reel
封装形式:SO-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):10 mOhms
漏极连续电流:13 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI4886DY-T1-E3的详细信息,包括SI4886DY-T1-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC