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SI4842DY-T1

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: SOIC-8 Narrow
数量：: 5724
说明：: MOSFET 30V 23A 3.5W

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SI4842DY-T1 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：65 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：10 ns
功率耗散：1.6 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：35 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：4.5 mOhms
漏极连续电流：23 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Vishay

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