SI4842BDY-T1-GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
数量:
 6189  
说明:
 MOSFET 30V 28A 6.25W 4.2mohm @ 10V
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SI4842BDY-T1-GE3-8-SOIC(0.154

SI4842BDY-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:SI4842BDY-GE3
典型关闭延迟时间:38 ns
工厂包装数量:2500
上升时间:190 ns
功率耗散:6.25 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:13 ns
包装形式:Reel
封装形式:SOIC-8 Narrow
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):4.2 mOhms
漏极连续电流:28 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI4842BDY-T1-GE3的详细信息,包括SI4842BDY-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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