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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:20 ns at Channel 1, 45 ns at Channel 2
工厂包装数量:100
上升时间:12 ns at Channel 1, 15 ns at Channel 2
功率耗散:1.4 W, 2.25 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:12 ns at Channel 1, 15 ns at Channel 2
封装形式:SOIC-8 Narrow
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):40 mOhms, 17.5 mOhms
漏极连续电流:4.7 A, 9 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:否
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay
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