SI4823DY-T1-GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
数量:
 3744  
说明:
 MOSFET 20V 4.1A P-CH MOSFET w/Shottky
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SI4823DY-T1-GE3-8-SOIC(0.154

SI4823DY-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:SI4823DY-GE3
功率耗散:2.8 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:8 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :6 S
包装形式:Reel
封装形式:SOIC-8 Narrow
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):108 mOhms
漏极连续电流:3.3 A
闸/源击穿电压:+/- 12 V
汲极/源极击穿电压:20 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
制造商:Vishay

以上是SI4823DY-T1-GE3的详细信息,包括SI4823DY-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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