SI4776DY-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 8-SOIC
数量：: 2871
说明：: MOSFET 30 Volts 11.9 Amps 4.1 Watts

一、本商品被浏览0次.

SI4776DY-T1-GE3 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：SI4776DY-GE3
典型关闭延迟时间：11 ns
上升时间：11 ns
功率耗散：4.1 W
栅极电荷 Qg：11.6 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：30 S
下降时间：6 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8
安装风格：SMD/SMT
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.013 Ohms
漏极连续电流：11.9 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI4776DY-T1-GE3的详细信息，包括SI4776DY-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：