SI4736DY-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: SOIC-8 Narrow
数量：: 4815
说明：: MOSFET 30V 13A 3.1W 9.5mohm @ 10V

一、本商品被浏览0次.

SI4736DY-T1-GE3 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：SI4736DY-GE3
工厂包装数量：2500
功率耗散：1.4 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：9.5 mOhms
漏极连续电流：9 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI4736DY-T1-GE3的详细信息，包括SI4736DY-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：